Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2302

TRANS GAN 100V DIE .0019OHM

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
7-PowerWQFN
Seri / Aile Numarası
EPC2302

EPC2302 Hakkında

EPC2302, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 101A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.8mOhm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 5V gate drive voltajında çalışır ve 23nC gate charge değerine sahiptir. Surface mount 7-PowerWQFN paketinde sunulur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, inverter devreleri, RF amplifikatörleri ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 101A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 7-PowerWQFN
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 50A, 5V
Supplier Device Package 7-QFN (3x5)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok