Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2219
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2219
EPC2219 Hakkında
EPC2219, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 65V drain-source gerilim desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 500mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3.3Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 5V drive voltajında çalışan bu bileşen, düşük gate charge (0.064nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma yapabilir. AECQ101 kalifikasyonuna sahip olup, otomotiv uygulamalarında da kullanılabilir. Die formunda sağlanan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlanmış uygulamalar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.064 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 32.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 59mA, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok