Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2218

GANFET N-CH 100V DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2218

EPC2218 Hakkında

EPC2218, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir Power FET transistördür. 100V drain-source gerilim derecelendirilmesi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paketi halinde sunulan EPC2218, minimum paket boyutu ve düşük parazitik kapasitans özellikleri sayesinde güç dönüştürme devrelerinde, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve RF uygulamalarında tercih edilir. GaNFET teknolojisi, geleneksel Si MOSFET'lere kıyasla daha yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok