Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2215
EPC2215 Hakkında
EPC2215, Gallium Nitride (GaN) teknolojisini kullanan N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm on-state direnç değeri ile enerji kayıplarını minimize eder. GaNFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve yüksek verimlilik sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Die (çip) formunda sunulan bu transistör, yüksek yoğunluk ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve tüketici ürünlerinde uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok