Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2214
EPC2214 Hakkında
EPC2214, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken elementidir. Die formda sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (20mOhm @ 6A, 5V) değeri sayesinde enerji verimliliğini artırır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüksek hız anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitif yükü ile modern güç elektronik tasarımlarında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 238 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok