Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2212
EPC2212 Hakkında
EPC2212, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Die paketinde sunulan bu transistör, 13.5mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük odyum kaybı sağlar. GaN teknolojisinin avantajlarından yararlanarak yüksek sıcaklık ve yüksek frekanslı işlemlerde hızlı anahtarlama performansı gösterir. Anahtarlamalar, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynaklarının sürücü devrelerinde, endüstriyel inverterler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 407 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 11A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok