Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2207
EPC2207 Hakkında
EPC2207, Enhancement-mode GaN (Gallium Nitride) teknolojisi kullanılarak üretilmiş N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi, 14A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 5V gate geriliminde 22mOhm on-direnç (Rds(on)) değeri sunar. Die form faktörü ile sunulan bu bileşen, switch-mode güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve RF amplifikatör uygulamalarında kullanılır. Düşük gate şarjı (5.9nC @ 5V) ve küçük input kapasitanssı (600pF @ 100V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 14A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok