Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2204
EPC2204 Hakkında
EPC2204, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan bir güç transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5V gate sürücü geriliminde 6mOhm maksimum açık kanal direnci ile karakterize edilmiştir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-40°C ile +150°C arasında) çalışabilir. GaN teknolojisi sayesinde düşük gate charge (7.4nC @ 5V) ve düşük kapasitanslı (851pF @ 50V) tasarımı, güç dönüştürme uygulamalarında hızlı anahtarlama ve verimli enerji iletimini sağlar. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve RF amplifikatörleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 851 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok