Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2203
EPC2203 Hakkında
EPC2203, EPC tarafından üretilen Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 0.83nC gate charge ve 88pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliğini gösterir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunmaktadır. Die paket formatında sunulan bu komponent, güç dönüştürme, DC-DC konvertörleri, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.83 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +5.75V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok