Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2202

GANFET N-CH 80V 18A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2202

EPC2202 Hakkında

EPC2202, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-kanal FET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş geriliminde 17mOhm maksimum on-direnci ile düşük kayıp özellikleri sunar. Die paket formatında tedarik edilen bu komponent, düşük kapasitansi (415pF @ 50V) ve hızlı anahtarlama (4nC gate charge) karakteristiği ile DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 415 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11A, 5V
Supplier Device Package Die Outline (6-Solder Bar)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +5.75V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok