Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2069
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2069
EPC2069 Hakkında
EPC2069, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 0.002Ω düşük on-resistance değerine sahiptir. 8 bump DIE konfigürasyonunda sunulan EPC2069, yüksek verimlilik ve düşük ısıl direnç gerektiren uygulamalarda kullanılır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve RF amplifikatörler gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük kapasitif yükü ve hızlı anahtarlama davranışı ile sistem boyutunu küçültmeye yardımcı olur. Bileşen aktif statüsünde olup, sektör standardlarına uygun şekilde üretilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Part Status | Active |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok