Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2065
GAN FET 80V .0027OHM 8BUMP DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2065
EPC2065 Hakkında
EPC2065, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistörüdür. 80V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V sürü geriliminde 3.6mΩ on-state direnç (Rds On) değerine sahiptir. Die paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında, şarj kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve inverter sistemlerinde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli enerji yönetimi gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1449 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok