Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2055

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2055

EPC2055 Hakkında

EPC2055, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3.6mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) düşük kayıp işletim sağlar. Surface mount die paketi formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1111 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 15A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok