Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2052
EPC2052 Hakkında
EPC2052, GaN teknolojisine dayalı N-Channel Field Effect Transistor'dür. 100V drain-source gerilimi ve 8.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5V gate sürüş geriliminde 13.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük input kapasitansi (575pF @ 50V) ve minimal gate charge (4.5nC @ 5V) sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die formunda sunulan bu transistör, güç dönüştürme, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 11A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok