Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2051

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2051

EPC2051 Hakkında

EPC2051, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Die paket formatında sunulan bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 258 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok