Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2049ENGRT

GANFET N-CH 40V 16A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2049

EPC2049ENGRT Hakkında

EPC2049ENGRT, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-kanal FET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5mΩ maksimum on-direnci (RDS(on)) ile düşük güç kayıpları sağlar. Gate charge değeri 7.6nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu DIE formundaki bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 805 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 15A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 6mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok