Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2045
EPC2045 Hakkında
EPC2045, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 100V drain-source voltaj, 16A sürekli drain akımı ve 7mΩ on-resistance ile düşük kayıp uygulamalara uygun şekilde tasarlanmıştır. 5V gate drive voltajında çalışmak üzere optimize edilmiştir. Die formunda sunulan bu transistör, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel sistemlerde kullanılır. Düşük gate charge karakteristiği (6.5nC) hızlı anahtarlama ve azaltılmış kontrol devresi kompleksitesi sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, enerji verimliliği gerektiren uygulamalar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok