Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2039
EPC2039 Hakkında
EPC2039, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V gate sürme geriliminde 25mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu die format bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (2.4nC) ve input capacitance (210pF) değerleri, verimli güç tasarımı ve hızlı komutasyon gereksinimlerinde avantaj sağlar. Güç elektronikleri, şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok