Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2038

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2038

EPC2038 Hakkında

EPC2038, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 500mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5V gate sürme voltajında 3.3Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 0.044nC düşük gate charge ve 8.4pF input kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Die paketi biçiminde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve RF uygulamaları gibi yüksek frekans ve yüksek verimlilik gerektiren sistemlerde kullanılır. Surface mount uygulamalarına elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.4 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok