Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2036

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2036

EPC2036 Hakkında

EPC2036, Gallium Nitride (GaN) tabanlı N-Channel FET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş voltajında 65mOhm maksimum on-dirençine sahiptir. Düşük gate charge (0.91 nC) ve input kapasitans (90 pF) özellikleri yüksek frekanslı anahtarlama için uygun hale getirir. Die formunda sunulan bu transistör, inverter, DC-DC konvertör, güç kaynakları ve RF amplifikatör gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 90 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok