Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2035
EPC2035 Hakkında
EPC2035, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Sürücü voltajda 5V ile 45mOhm maksimum on-rezistans sağlar. Die paketi formatında sunulan bu bileşen, 115pF giriş kapasitansı ve 1.15nC gate charge özelliğiyle düşük anahtarlama kayıpları sunar. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans gösterir. DC-DC konvertörler, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek verimli bir FET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 1A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok