Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2034

GANFET N-CH 200V 48A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2034

EPC2034 Hakkında

EPC2034, GaN (Gallium Nitride) teknolojisinde üretilen N-Channel FET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 48A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10mOhm maksimum on-direnci (5V gate geriliminde, 20A akımda) düşük güç kaybı sağlar. Die paket formatında sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, inverterler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışır, hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri ile enerji verimli devreler için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok