Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2032

GANFET N-CH 100V 48A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2032

EPC2032 Hakkında

EPC2032, EPC tarafından üretilen yüksek verimli GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel güç transistörüdür. 100V Vdss ile 48A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Die paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama güç uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, inverterlerde ve yüksek frekanslı güç dönüşüm devrelerinde kullanılmaktadır. 15nC gate charge ve 1530pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1530 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 30A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 11mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok