Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2031ENGRT

GANFET NCH 60V 31A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2031

EPC2031ENGRT Hakkında

EPC2031ENGRT, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 31A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Die form faktöründe sunulan bu bileşen, düşük 2.6mΩ (maksimum) on-state direnci sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. 5V gate drive voltajı ile kontrol edilebilen bu FET, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörler ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Cihazın durumu Digi-Key'de devre dışı bırakılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 300 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Market
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 30A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 15mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok