Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2030ENGRT
GANFET NCH 40V 31A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2030
EPC2030ENGRT Hakkında
EPC2030ENGRT, EPC tarafından üretilen GaNFET (Gallium Nitride) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.4mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Güç dönüştürücüleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), şarj cihazları ve RF uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama ve düşük kapasite özellikleri sayesinde yüksek frekans devrelerde verimli performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 30A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 16mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok