Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2030
GANFET NCH 40V 31A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2030
EPC2030 Hakkında
EPC2030, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek verimlilik gerektiren uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 2.4mΩ maksimum Rds(On) değeri düşük güç kaybı sağlar. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 18nC gate charge ve 1900pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlamaya elverişlidir. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabildir. Sunucu güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve şarj sistemleri gibi enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 30A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 16mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok