Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2029
EPC2029 Hakkında
EPC2029, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistördür. 80V dren-kaynak voltaj derecelendirmesi ve 25°C'de 48A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 3.2mΩ maksimum Rds(on) değeri (30A, 5V şartlarında) düşük ısı kaybı sağlar. 13nC gate charge ve 1410pF input capacitance (40V'de) hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount die formunda paketlenen bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, inverterler, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 12mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok