Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2025
GANFET N-CH 300V 4A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2025
EPC2025 Hakkında
EPC2025, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 300V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V drive voltajında 150mOhm maksimum Rds(on) değerine sahip olması, anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. Die paket formunda sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama regülatörlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. GaNFET teknolojisi sayesinde klasik Si MOSFET'lere kıyasla daha hızlı anahtarlama hızı ve daha düşük kapasitanslı giriş karakteristikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 194 pF @ 240 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok