Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2023
GANFET N-CH 30V 60A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2023
EPC2023 Hakkında
EPC2023, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 30V drain-source voltaj derecelemesi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.3mOhm on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Die formunda sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek frekanslı güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapasitans değeri (2300pF @ 15V) ile hızlı anahtarlama performansı elde edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 40A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok