Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2022

GANFET N-CH 100V 90A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2022

EPC2022 Hakkında

EPC2022, EPC tarafından üretilen bir GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) N-Channel transistördür. Bu bileşen, yüksek akım ve voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 90A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 3.2mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliğini artırır. Die olarak sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor sürücü devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok