Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2021ENGR
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2021
EPC2021ENGR Hakkında
EPC2021ENGR, GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 5V gate sürülmesi ile çalışan bu bileşen, surface mount die paketi şeklinde sunulmaktadır. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetimi sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok