Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2021
GANFET N-CH 80V 90A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2021
EPC2021 Hakkında
EPC2021, EPC tarafından üretilen GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisinde N-Channel transistördür. 80V drain-source voltajı ve 90A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Die pakette sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve RF amplifikatörlerinde yaygın olarak yer alır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 5V kapı sürme voltajı gerektirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok