Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2020

GANFET N-CH 60V 90A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2020

EPC2020 Hakkında

EPC2020, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.2mOhm'luk düşük on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Die formunda sunulan bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-40°C ile 150°C arasında) çalışabilir. DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri ve verimli anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 31A, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok