Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2019
EPC2019 Hakkında
EPC2019, GaN (Gallium Nitride) teknolojisini kullanan N-Channel FET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. 5V gate drive voltajında 50mOhm maksimum RDS(on) değeri sunarak düşük iletim kaybı sağlar. 2.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans özellikleri, enerji verimli tasarımlarda tercih edilir. Güç dönüştürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve RF uygulamalarında kullanılan bu die formatı bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok