Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2018
GANFET N-CH 150V 12A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2018
EPC2018 Hakkında
EPC2018, EPC tarafından üretilen N-channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5mΩ'luk düşük RDS(on) değeri enerji verimliliğini artırır. Die formda sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve inverter devrelerinde tercih edilir. -40°C ile 125°C arasında çalışabilir ve 5V gate sürüşü için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok