Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2016C
EPC2016C Hakkında
EPC2016C, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir FET bileşenidir. 16mOhm maksimum on-direnci (5V kapı geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5nC kapı yükü ve 420pF giriş kapasitansı sayesinde hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Yazılı kalıp (die) biçiminde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, invertörler, AC/DC güç kaynakları ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok