Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2016
GANFET N-CH 100V 11A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2016
EPC2016 Hakkında
EPC2016, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistörüdür. 100V drain-source voltaj desteği ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V gate sürüş voltajında 16mΩ maksimum on-dirençi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 5.2nC gate yükü ve 520pF giriş kapasitanslığı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 125°C arasında çalışır. DC-DC konvertörler, sürücü devreler, güç yönetimi ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok