Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2015C
EPC2015C Hakkında
EPC2015C, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 53A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, solar inverterlerde ve elektrikli araç şarj sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±6V/-4V gate gerilim aralığında çalışır ve -40°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok