Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2015
GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2015
EPC2015 Hakkında
EPC2015, GaN (Gallium Nitride) teknolojisi tabanlı N-channel FET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum on-direnç (5V gate geriliminde) ve düşük gate charge (11.6nC) özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve RF amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Digi-Key'de üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (11-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok