Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2014C
EPC2014C Hakkında
EPC2014C, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 5V gate sürme voltajında optimal performans gösterir. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ile 150°C arası) çalışabilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi sistemlerinde ve yüksek frekanslı devrelerinde kullanılır. Die tipi paket formatında sunulan EPC2014C, yüksek yoğunluk ve minimum alan gereksinimi olan uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (5-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok