Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2014
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2014
EPC2014 Hakkında
EPC2014, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source geriliminde 10A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük gate charge (2.8 nC @ 5V) ve minimal on-state direnci (16 mΩ @ 5A, 5V) ile karakterizedir. Die outline paket formatında sunulan EPC2014, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında enerji dönüşümü ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. GaN teknolojisi nedeniyle hızlı anahtarlama hızı ve düşük kayıp özellikleri sayesinde, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 5A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (5-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok