Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2012C
EPC2012C Hakkında
EPC2012C, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Die paket formatında sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve yüksek frekans güç sistemlerinde yer almaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 5V gate sürüm gerilimiyle kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (4-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok