Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2012
GANFET N-CH 200V 3A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2012
EPC2012 Hakkında
EPC2012, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisini kullanan güçlü transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Die formunda sunulan bu komponentin maksimum gate-source gerilimi +6V/-5V aralığındadır. 5V drive voltage'da 100mΩ on-resistance değerine sahiptir. 1.8nC gate charge ve 145pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -40°C ile 125°C junction sıcaklığı aralığında çalışan bu transistör, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve RF uygulamalarında yer bulur. Surface mount teknolojisine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 145 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok