Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2010C
EPC2010C Hakkında
EPC2010C, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayanan N-kanallı Field Effect Transistor'dür. 200V drain-source voltaj ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum on-resistance (5V, 12A koşullarında) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Die formunda sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve RF güçlendirici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. 5.3nC gate charge ve 540pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama davranışı karakterize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (7-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok