Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2010
EPC2010 Hakkında
EPC2010, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile 12A sürekli drenaj akımına sahiptir. Die format olarak sunulan bu bileşen, 5V gate sürüş geriliminde 25mOhm RDS(on) değerine ulaşır. Gate yükü 7.5nC ve input kapasitansi 540pF ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -40°C ile 125°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, inverterlerde ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılır. GaN teknolojisi sayesinde düşük kaybı ve yüksek anahtarlama hızı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok