Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2007C

EPC2007C Hakkında

EPC2007C, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 100V drain-source voltaj derecesine ve 6A sürekli drain akımına sahiptir. 30mΩ (5V, 6A'da) maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 5V gate drive voltajı ile standart kontrol devrelerine uyumludur. Die formunda sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında, özellikle yüksek frekanslı ve verimlilik gerektiren tasarımlarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 5V
Supplier Device Package Die Outline (5-Solder Bar)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok