Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2007
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2007
EPC2007 Hakkında
EPC2007, GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan N-Channel FET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 6A sürekli dren akımı özelliği ile güç uygulamalarında kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Gate charge değeri 2.8nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve RF amplifikasyon gibi uygulamalarda yer alır. Die (çıplak kalıp) formu olması nedeniyle hybrid ve custom uygulamalarda entegrasyon gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (5-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok