Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2001C
EPC2001C Hakkında
EPC2001C, Gallium Nitride (GaN) teknolojisi üzerine inşa edilmiş N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source geriliminde 36A sürekli akım kapasitesi sunar. 7mOhm maksimum on-direnç (Rds) ile düşük güç kaybı sağlar. 9nC gate charge ve 900pF input kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun özellikleridir. -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Die (çıplak kristal) montaj türüne sahip olup, yüksek yoğunluklu entegrasyon ve özel uygulamalar için tasarlanmıştır. Güç dönüştürücüleri, inverterler ve rf amplifikatörleri gibi anahtarlamaya dayalı sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | Die Outline (11-Solder Bar) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok