Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC2001

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC2001

EPC2001 Hakkında

EPC2001, EPC tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7mΩ maksimum on-direnci ve düşük gate charge (10nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. DC-DC konvertörler, güç kaynakları, elektrikli araç drivetrain sistemleri ve endüstriyel invertörler gibi uygulamalarda tercih edilir. Die paket formatında sunulan bu bileşen -40°C ile +125°C sıcaklık aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Market
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package Die Outline (11-Solder Bar)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok