Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
E3M0280090D
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- E3M0280090D
E3M0280090D Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen E3M0280090D, 900V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 11.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 54W maksimum güç tüketimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 360mOhm on-state direnci (Rds On) ve 9.5nC gate charge değerleri ile anahtarlama uygulamalarında verimli işlem gösterir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok